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　　1、引言

　　OLED(organic electrical emitting device，有機(jī)電致發(fā)光器件)有源驅(qū)動(dòng)陣列在每個(gè)單元像素內(nèi)都集成有兩個(gè)或多個(gè)薄膜晶體管[1 ，2] ，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光點(diǎn)陣，從而能在整個(gè)幀周期內(nèi)為像素提供持續(xù)的工作信號(hào)。有源驅(qū)動(dòng)克服了無(wú)源驅(qū)動(dòng)方式中使用占空比小的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)帶來(lái)的問(wèn)題[3]，有利于實(shí)現(xiàn)OLED大面積、高分辨率顯示。在OLED的a-Si TFT有源驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中，我們采用了在每個(gè)單元像素中包含有2個(gè)TFT(thin film transistor薄膜晶體管)的驅(qū)動(dòng)電路形式[4～6]，如圖1所示。由于外界信號(hào)的異常變化，掃描線(scanning line)、數(shù)據(jù)線(data line)和電源線上(source line)時(shí)常會(huì)帶來(lái)突發(fā)的高電壓，同時(shí)在TFT陣列和OLED制作過(guò)程中，因?yàn)橐恍┎僮髦械哪Σ粒矔?huì)帶來(lái)高達(dá)幾萬(wàn)伏的靜電壓，這些偶發(fā)的異常電壓信號(hào)都會(huì)直接作用在T1 管或T2管的柵極上，擊穿柵絕緣介質(zhì)，導(dǎo)致器件徹底損壞。所以在T1、T2柵極外側(cè)必須加一些保護(hù)電路，同時(shí)為了防止由電源線上來(lái)的高壓信號(hào)擊穿OLED，在電源線上加保護(hù)電路也很有必要。常見的柵保護(hù)電路有：二極管柵保護(hù)電路、源漏擊穿保護(hù)、場(chǎng)致反型保護(hù)、柵調(diào)制擊穿保護(hù)等[7]。由于源漏擊穿是可恢復(fù)的，并考慮到外圍保護(hù)電路與驅(qū)動(dòng)陣列工藝上一致性，我們選擇了源漏擊穿保護(hù)的形式，利用a-Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT的擊穿特性，設(shè)計(jì)保護(hù)電路。

　　2、模擬與分析

　　2.1 TFT源漏擊穿模型的建立

　　TFT在工作狀態(tài)時(shí)，當(dāng)TFT源漏電壓Vds到達(dá)一定值后，在繼續(xù)升高電壓的過(guò)程中，漏極電流Ids開始急劇增大，此時(shí)源漏發(fā)生了擊穿。而且隨著柵源電壓Vgs的增加，出現(xiàn)這種現(xiàn)象時(shí)的Vds值逐次升高。

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