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　　全新nvSRAM系列包括業界最快的高容量NVRAM以及全球首款支持直接連接到NAND總線控制器的NVRAM。

　　賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口（ONFI）標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產品線，以滿足高端可編程邏輯控制器（PLC）、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網絡設備、航空電子系統以及電子游戲機等關鍵任務應用的需求。

　　16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘（RTC），以便在重要數據日志中標記時間。賽普拉斯的nvSRAM具有無限次讀、寫和恢復的特點，在85?C的溫度下數據可保存20年，65?C下則可以保存150年。賽普拉斯的nvSRAM對于需要連續高速讀寫數據和絕對非易失性數據安全的應用來說，是非常理想的選擇。

　　賽普拉斯非易失性產品事業部高級總監Rainer Hoehler說：“關鍵任務系統需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數據的高性能存儲器。賽普拉斯的16 Mb nvSRAM能夠實現絕對的數據安全，并且是業界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無與倫比的性能。”

　　供貨情況

　　16 Mb nvSRAM目前可以提供樣片，預計于2014年第三季度量產。ONFI 1.0器件的供電電壓為3V，IO電壓為1.8V，數據總線寬度為8比特和16比特，封裝方式為165-ball FBGA。異步并行器件可選擇帶或不帶RTC，數據總線寬度為8、6、132比特，供電電壓為3V、5V，以及1.8V IO電壓的3V供電。其封裝方式為44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。

　　關于賽普拉斯nvSRAM

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM、依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產品和EEPROM器件，提供快速非易失性數據存儲能力。當發生斷電的時候，數據可自動從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。賽普拉斯的nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數據的完整性。其應用領域包括PLC、存儲、航空電子、游戲，以及計量、工業、汽車和RAID應用。

　　關于賽普拉斯

　　賽普拉斯提供高性能、混合信號、可編程解決方案，可加快客戶產品的上市進程并提供出色的系統價值。賽普拉斯的產品包括旗艦產品 PSoC® 1、PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5 可編程片上系統系列。賽普拉斯是全球電容式用戶界面解決方案領域的領導者，產品包括應用于觸摸感應的 CapSense®，用于觸摸屏的TrueTouch® 和用于筆記本電腦、PC及外設的trackpad解決方案。賽普拉斯在 USB 控制器領域居全球領先地位，產品主要用于提升諸多消費和工業產品的連接性和性能。此外，賽普拉斯還是 SRAM 和非易失性RAM存儲器的全球領先供應商。賽普拉斯的產品應用于眾多領域，包括消費類電子、手機、計算、數據通信、汽車、工業和軍事等。賽普拉斯的股票在納斯達克全球精選市場上交易，股票代碼為 CY。