中微公司在等離子體刻蝕技術領域再次實現重大突破
摘要：近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。
閱讀：5432025年03月27日 14:19:29
摘要：近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。
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