廈門大學團隊研究突破:量子點發光微球實現超高效和明亮的Micro-LEDs
微米級發光二極管(Micro- LED)以其超高分辨率、超高亮度、響應速度快、高對比度、低功耗等特點被認為是下一代顯示技術。然而,傳統無機III-V半導體LED小型化到微尺度(≤50µm)的過程中,面臨著綠色和紅色LED輻射效率急劇下降、傳質困難、紅綠藍(RGB)像素驅動電壓失配等技術和性能方面的挑戰,嚴重影響了其商業化進程。
寧波材料所在有機螺環基團OLED材料與器件研究中取得突破
近期,中國科學院寧波材料技術與工程研究所有機光電材料與器件團隊葛子義研究員、李偉副研究員,聯合華南理工大學蘇仕健教授提出一種分子設計策略,將剛性 9,9'-螺雙[芴](SF)單元全部或部分整合到B/N-分子內電荷轉移(MR)發光核心中(圖1),成功開發了含螺芴的MR-TADF材料體系SF-BN1、SF-BN2、SF-BN3 和 SF-BN4,它們具有高色純度和高效率的特性。
中國科學技術大學團隊成功制備高性能純紅光鈣鈦礦LED
中國科學技術大學姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡偉團隊通過給發光二極管(LED)“拍片子”,找到了純紅鈣鈦礦LED性能瓶頸的原因,并成功制備出高性能純紅光鈣鈦礦LED。相關研究成果于北京時間5月7日在線發表在國際學術期刊《自然》(Nature)。
手性半導體研究成果發布,有助于提高OLED顯示屏性能
來自英國劍橋大學(University of Cambridge)和荷蘭埃因霍溫理工大學(Eindhoven University of Technology)的研究人員創造了一種有機半導體,可以使電子以螺旋模式移動,這可以提高電視和智能手機屏幕中OLED顯示器的效率,還或將為自旋電子學和量子計算等下一代計算技術提供動力。
索尼展示 RGB LED 背光技術:峰值亮度 4000 nits
IT之家 3 月 14 日消息,科技媒體 The ShortCut 昨日(3 月 13 日)發布博文,報道稱索尼計劃在 2026 年推出全新的 RGB LED 背光技術,無需量子點層,峰值亮度可以突破 4000 尼特,而且色彩表現比 Mini LED 或 QD-OLED 面板更精準。
香港科技大學工學院創全球首款高光效深紫外顯示晶元 推進無掩模光刻技術發展
香港科技大學(港科大)工學院成功研發一款全球首創的深紫外Micro LED顯示陣列晶元,此高光效晶元可配合無掩模紫外光光刻技術,提升其光輸出功率密度準確性,并以較低成本及更速效的方法推動半導體晶片生產的技術發展。